光伏制造行业规范条件（2021 年本） 为加强光伏行业管理， 引导产业加快转型升级和结构调 整， 推动我国光伏产业持续健康发展， 根据国家有关法律法 规及《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》 （ 国 发〔 2013〕 24 号） ， 按照优化布局、 调整结构、 控制总量、 鼓励创新、 支持应用的原则， 制定本规范条件。 本规范条件 是鼓励和引导行业技术进步和规范发展的引导性文件， 不具 有行政审批的前置性和强制性。 一、 生产布局与项目设立 （ 一） 光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、 环境保护、 节能管理等法律法规要求， 符合国家产业政策和 相关产业规划及布局要求， 符合当地土地利用总体规划、 城 市总体规划、 环境功能区划和环境保护规划等要求。 （ 二） 在国家法律法规、 规章及规划确定或省级以上人 民政府批准的自然保护区、 饮用水水源保护区、 生态功能保 护区， 已划定的永久基本农田， 以及法律、 法规规定禁止建 设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。 上述区域内的现 有企业应按照法律法规要求拆除关闭， 或严格控制规模、 逐 步迁出。 （ 三） 引导光伏企业减少单纯扩大产能的光伏制造项2 目， 加强技术创新、 提高产品质量、 降低生产成本。 新建和 改扩建多晶硅制造项目， 最低资本金比例为 30%， 其他新建 和改扩建光伏制造项目， 最低资本金比例为 20%。 二、 工艺技术 （ 一） 光伏制造企业应采用工艺先进、 安全可靠、 节能 环保、 产品质量好、 生产成本低的生产技术和设备， 并实现 高品质产品的批量化生产。 （ 二） 光伏制造企业应具备以下条件： 在中华人民共和 国境内依法注册成立， 具有独立法人资格； 具有太阳能光伏 产品独立生产、 供应和售后服务能力； 每年用于研发及工艺 改进的费用不低于总销售额的 3%且不少于 1000 万元人民 币， 鼓励企业取得省级以上独立研发机构、 技术中心或高新 技术企业资质； 申报符合规范名单时上一年实际产量不低于 上一年实际产能的 50%。 （ 三） 现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 （ GB/T 25074） 或《流 化床法颗粒硅》 （ GB/T 35307） 特级品的要求。 2.多晶硅片（ 含准单晶硅片） 少子寿命不低于 2μs， 碳、 氧含量分别小于 10ppma 和 12ppma； P 型单晶硅片少子寿命 不低于 50μs， N 型单晶硅片少子寿命不低于 500μs， 碳、 氧 含量分别小于 1ppma 和 14ppma。 3.多晶硅电池和单晶硅电池（ 双面电池按正面效率计算） 的平均光电转换效率分别不低于 19%和 22.5%。3 4.多晶硅组件和单晶硅组件（ 双面组件按正面效率计算） 的平均光电转换效率分别不低于 17%和 19.6%。 5.硅基、 铜铟镓硒（ CIGS） 、 碲化镉（ CdTe） 及其他薄 膜组件的平均光电转换效率分别不低于 12%、 15%、 14%、 14%。 6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于 96.5%， 不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于 98%（ 单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于 94.5%和 97.3%） ， 微型逆变器相关指标分别不低于 95%和 95.5%。 （ 四） 新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《电子级多晶硅》 （ GB/T 12963） 3 级品 以上要求或《流化床法颗粒硅》 （ GB/T 35307） 特级品的要 求。 2.多晶硅片（ 含准单晶硅片） 少子寿命不低于 2.5μs， 碳、 氧含量分别小于 6ppma 和 8ppma； P 型单晶硅片少子寿命不 低于 80μs， N 型单晶硅片少子寿命不低于 700μs， 碳、 氧含 量分别小于 1ppma 和 14ppma。 3.多晶硅电池和单晶硅电池（ 双面电池按正面效率计算） 的平均光电转换效率分别不低于 20.5%和 23%。 4.多晶硅组件和单晶硅组件（ 双面组件按正面效率计算） 的平均光电转换效率分别不低于 18.4%和 20%。 5.硅基、 CIGS、 CdTe 及其他薄膜组件的平均光电转换